توشیبا در نمایشگاه CES امسال از نسل چهارم حافظه های NVMe SSD خود رونمایی کرد که در قالب یک پکیج چیپ که هم کنترلر SSD و هم فلش مموری NAND را شامل می شود از راه خواهد رسید.
حافظه اس اس دی Toshiba BG4 قرار است به روزرسانی های مهمی نسبت به BG3 به ارمغان بیاورد: به عنوان مثال چیپ های 64 لایه ای جای خود را به چیپ های 3D TLC (چیپ های سه لایه سه بعدی) با 96 لایه داده که به ظرفیت های بیشتر و مصرف انرژی کمتر منجر می شود. کنترلر PCIe 3 x2 مورد استفاده در BG2 و BG3 هم جای این بار جای خود را به کنترلر جدیدی داده که از PCIe 3 x4 پشتیبانی می کند و عملکرد به مراتب بهتر ورودی/خروجی متوالی را به ارمغان می آورد.
BG4 همچنان یک حافظه SSD فاقد DRAM است که با اتکا بر قابلیت «بافر حافظه میزبان» NVMe (یا HMB)، مشکلات رایج مربوط به کارایی درایوهای فاقد DRAM را برطرف می کند. فرمور BG4 نیز دستکاری شده تا دامنه اطلاعاتی که می توانند در بافر حافظه میزبان کَش شوند افزایش یابد و به تبع آن، عملکرد به هنگام اعمالی نظیر انتقال فایل های حجیم بهبود یابد.
این تغییرات بدان معنا هستند که BG4 از بخش بیشتری از حافظه میزبان استفاده می کند تا به کارها سرعت ببخشد، اما فضای HMB مورد نیاز همچنان کمتر از 100 مگابایت است. سایر تغییرات فرمور هم بر بهبود عملکرد ورودی/خروجی تصاوفی متمرکز بوده است. اطلاعات منتشر شده از سوی توشیبا نشان می دهد که عملکرد نوشتن تصادفی تا دو برابر بهبود یافته و عملکرد خواندن تصاوفی هم تا دو برابر از BG3 بهتر است.
استفاده از 3D TLC با 96 لایه نیز به این معنا بوده که برخی درایوها حالا باریک تر هستند (مانند قطر 1.3 میلی متری در برابر قطر 1.5 میلی متری در مدل 512 گیگابایتی) و همچنین برای اولین بار در خانواده BG شاهد مدل 1 ترابایتی هستیم. توشیبا نخستین شرکتی بود که طی سال گذشته اس اس دی هایی با NAND نود و شش لایه ای عرضه کرد و به نظر می رسد BG4 هم دومین اس اس دی 96 لایه ای جهان خواهد بود.
در نهایت گفتنی است که توشیبا هم اکنون BG4 را در اختیار برخی تولیدکنندگان قرار داده تا روند آزمایش های اولیه را طی کند و تا پایان سه ماهه نخست 2019، دسترسی عمومی تر به این حافظه میسر خواهد شد. این حافظه ضمناً برای استفاده سازمانی ساخته شده و خبری از یک ورژن مخصوص مصرف کنندگان نخواهد بود.
