جدیدترین چیپ حافظه سامسونگ ۲۰ برابر میکرو اس دی معمولی سرعت دارد

هفته‌ گذشته سامسونگ گلکسی فولد معرفی شد و کمپانی کره‌ای اعلام نمود که این دستگاه به چیست 7 نانومتری اسنپدراگون 855، 12 گیگابایت رم و 512 گیگابایت حافظه داخلی فوق سریع از نوع فلش استوریج 3 (eUFS) مجهز شده است. حال کمپانی کره‌ای عنوان کرده که تولید انبوه جدیدترین چیپ حافظه سامسونگ آغاز شده و این سخت افزار، اولین چیپ حافظه 512 گیگابایتی با تکنولوژی فلش استوریج جهان 3 (eUFS) به شمار می‌رود.

به همین دلیل پرچمداران بعدی سامسونگ از سرعت خوانش و انتقال دیتای بسیار بالایی بهره‌مند خواهند شد که با سرعت حافظه‌های لپ‌تاپ‌های سریع قابل مقایسه خواهد بود.

سال 2017 میلادی سامسونگ از چیپ 512 گیگابایتی eUFS رونمایی کرده بود که می‌توانست اطلاعات را با سرعت 860 مگابایت بر ثانیه بخواهد و آنها را با سرعت 255 مگابایت بر ثانیه انتقال دهد.

چیپ جدید سرعت خوانش و انتقال داده را دو برابر کرده و آنها به ترتیب به 2100 مگابایت بر ثانبه و 410 مگابایت بر ثانیه رسانده است. حتی چیپست‌های UFS 2.1 که سامسونگ آنها را چند ماه پیش معرفی کرده بود، توان مقابله با مدل‌های eUFS 3 ندارند و اصلا با هم قابل مقایسه نیستند.

به گفته‌ی شرکت سازنده، سرعت خوانش این چیپ حافظه سامسونگ 20 برابر کارت های میکرو اس دی معمولی و  4 برابر هارد‌های ساتاست. از این رو کاربر می‌تواند یک فیلم کامل Full HD طی تنها سه ثانیه به حافظه‌‌ی eUFS 3 یک تلفن هوشمند انتقال دهد.

کمپانی کره‌ای سعی دارد با استفاده از جدیدترین چیپ حافظه سامسونگ در پرچمدارانش تجربه‌ی کاربری سریعی را برای کاربر به ارمغان آورد. به طوری که فرد تصور کند در حال استفاده از تلفن‌های هوشمند با رزولوشن فوق العاده بزرگ است که به آینده تعلق دارد.

جدیدترین چیپ حافظه سامسونگ طی ماه آینده، در دو مدل 128 و 512 گیگابایتی عرضه خواهد شد و کمپانی کره‌ای قصد دارد نسخه‌های 1 ترابایتی و 256 گیگاباتی آن را نیز در نیمه دوم سال 2019 میلادی عرضه نماید.