سامسونگ در صنعت نیمه‌هادی‌ها یکی از رهبران جهانی است و قصد دارد در ماه جولای بزرگ‌ترین کارخانه ساخت تراشه را افتتاح کند. سامسونگ اولین شرکت جهان بود که از فناوری‌های 10 و 14 نانومتری در چیپست گوشی‌های هوشمند استفاده کرد. حال این غول کره‌ای نقشه راه جامع خود برای تولید تراشه با فناوری 8، 7، 6، 5 و 4 نانومتری را ارائه کرده است.
کینام کیم، مدیر بخش نیمه‌هادی سامسونگ، جزییات نقشه راه فرایند فاندری این شرکت را در Samsung Foundry Forum 2017 توضیح داد. قبل از گذار به لیتوگرافی EUV ا(Extreme Ultra Violet)، فناوری 8 نانومتری LPP ا(Low Power Plus) بهترین راه‌حل خواهد بود و نسبت به فناوری 10 نانومتری LPP چگالی دروازه و عملکرد بهتری خواهد داشت.
فناوری 7 نانومتری LPP از لیتوگرافی EUV نیز استفاده می‌کند و با همکاری شرکت هلندی ASML که در زمینه سیستم‌های فوتولیتوگرافی فعالیت می‌کند، توسعه داده شده است. استفاده از لیتوگرافی EUV باعث می‌شود که سد قانون مور شکسته شود و راه برای ساخت تراشه‌هایی با فناوری تک نانومتری هموار شود. فناوری 6، 5 و 4 نانومتری LPP عملکرد بهتری از فناوری 7 نانومتری LPP خواهند داشت.
گرچه فناوری 6 نانومتری LPP از فناوری 7 نانومتری EUV عملکرد بهتری خواهد داشت؛ اما فناوری 5 نانومتری LPP از راه‌حل منحصربه‌فرد Smart Scaling سامسونگ استفاده خواهد کرد. سامسونگ در فناوری 4 نانومتری LPP برای اولین بار معماری نسل بعدی MBCFET استفاده خواهد کرد. فناوری MBCFET از دستگاه نانوشیت استفاده می‌کند تا محدودیت‌های فناوری فین‌فت را رفع کند.
سامسونگ همچنین در مورد فناوری 18 نانومتری FD-SOI ا(Fully Depleted Silicon on Insulator) که برای کاربردهای اینترنت اشیاء مناسب است، صحبت کرد. این کمپانی فناوری 28 نانومتری FDS را با تعبیه RF و eMRAM بهبود خواهد بخشید. فناوری 18 نانومتری FD-SOI از نظر مصرف انرژی، مساحتی که اشغال می‌کند و عملکرد، برتر از فناوری 28 نانومتری FDS خواهد بود. جانگ شیک یون، معاون ارشد بخش پردازنده سامسونگ می‌گوید:
فراگیر بودن دستگاه‌های هوشمند متصل به هم و محصولات مصرفی نشان از انقلاب صنعتی بعدی دارد. برای موفق بودن در این مرحله، مشتریان ما نیاز به شرکتی دارند که نقشه راه جامعی داشته باشد.
