اینتل مدعی شده است با پیادهسازی این راهکار جدید، صرفهجویی 30 درصدی در هزینههای تولید تراشه انجام خواهد شد و محصول تولیدی نیز از نظر عملکردی، یک سر و گردن از سایر رقبا پیش خواهد بود.
اگرچه کوالکام هم اعلام کرده است تراشههای 10 نانومتری را بر پایه استفاده از فرایند تولید شرکت سامسونگ، در سال جاری به بازار عرضه خواهد کرد؛ اما مسئولان اینتل مدعی شدهاند رقبای این شرکت از تکنولوژی متفاوتی استفاده میکنند. اینتل مدعی است در تمامی ابعاد فنی از بخش تأمین مواد اولیه گرفته تا تعداد ترانزیستورهایی که در محصولات تولیدی ادغام خواهند شد، از رقبای خود پیش است.
کیزاد میستری، از مدیران ارشد اینتل، در رویداد خبری که در سانفرانسیسکو برگزار شد، با تأیید این موارد مدعی شده است فرایند تولید 10 نانومتری تراشهها که در سال جاری توسط اینتل به مرحله بهرهبرداری خواهد رسید بهمراتب باکیفیتتر از راهکارهای استفادهشده توسط رقبا است.
اینتل در بازار ساخت تراشه، رقبایی نظیر Global Foundries، TSMC و همچنین سامسونگ را در مقابل خود میبیند. این در حالی است که در بخش تولید محصولات هم شرکتهایی نظیر کوالکام و Advanced Micro Devices در مقابل اینتل صفآرایی کردهاند.
بد نیست بدانید یک نانومتر معادل با یک میلیاردم یک متر است و تنها به چهار اتم سیلیکونی در شبکه کریستالی نیاز است تا یک نانومتر تشکیل شود. در فرایند تولید 10 نانومتری، مدارها تنها 10 نانومتر وسعت دارند. این روش اندازهگیری، کاملا استاندارد است و اینتل از این قانون تبعیت میکند. این در حالی است که به گفته مارک بوهر از مدیران شرکت اینتل، شرکتهای دیگر از تعاریف متفاوتی استفاده میکنند.
اینتل مدعی شده این شرکت همچنان به پیشبینیهای قانون مور پایبند است. مور پیشبینی کرده بود تعداد ترانزیستورهای موجود در یک تراشه، هر دو سال، تقریبا دو برابر میشود. دو برابر شدن تعداد ترانزیستورها مزایای ویژهای برای صنعت تولید دستگاههای الکترونیکی به همراه داشته است.
دن هچسون، تحلیلگر بازار تولید تراشه و مدیرعامل VLSI Research، در این خصوص میگوید:
مدتها است که گفته میشود قانون مور به پایان راه خود رسیده؛ اما صنعت تولید تراشه باز هم ثابت کرد این قانون پابرجا است.
با تولید ترانزیستورهای مینیاتوری، اینتل این امکان را به دست آورده است که تعداد بیشتری از آنها را در همان فضای پیشین تعبیه کند. کاهش ابعاد ترانزیستورها و همچنین نزدیک شدن آنها به هم در نهایت مسافتی را که سیگنالهای الکترونیکی باید بپیمایند، کاهش داده است. همین امر در نهایت باعث میشود سرعت تراشهها بیشتر شود. این ترکیب در نهایت به کاهش هزینهها و همچنین کاهش حجم مواد مصرفی برای تولید تراشه منجر خواهد شد. به همین دلیل، اینتل از یک نسل به نسل دیگر مهاجرت میکند تا بهعنوان مثال، فرایند تولید 10 نانومتری را جایگزین فرایند 14 نانومتری کند.
استیسی اسمیت، مدیر اجرایی اینتل، معتقد است اگر تمامی صنایع با سرعتی مشابه با آنچه در صنعت تولید تراشه شاهد هستیم به پیش حرکت میکردند؛ حالا این امکان فراهم شده بود تا با یک گالن بنزین به خورشید سفر کنیم، غذای تمام جمعیت جهان را در فضایی به وسعت یک کیلومتر مربع کشت کنیم و با سرعتی 300 برابر سرعت نور جابهجا شویم.
با تأخیر در حرکت اینتل به سمت بهرهبرداری از تکنولوژی تولید 10 نانومتری تراشه، این شائبه به وجود آمد که اینتل نتوانسته است همگام با قانون مور حرکت کند و در نتیجه این امر، ممکن است فرایند تولید دستگاههای الکترونیکی با کاهش رشد روبهرو شود.
این در حالی است که مدیر اجرایی اینتل امروز اعلام کرد اگرچه اجرایی کردن فرایند تولید تراشه 10 نانومتری با تأخیر همراه بوده؛ اما تراکم ترانزیستورها در تراشههای جدید، 2.7 برابر تراکم در نسل پیشین است که این رقم در چارچوب پیشبینی افزایش دو برابری قانون مور قرار میگیرد. با این تفاسیر، باید اذعان کرد که اینتل همچنان همگام با قانون مور در حال حرکت به سمت جلو است.
در مسیر بهرهبرداری از تکنولوژی تولید 10 نانومتری، از نسل سوم فرایند تولید FinFET شرکت اینتل نیز استفاده شده است. FinFET که برای اولین بار در سال 2011 معرفی شد، در واقع ساختاری ترانزیستوری است که از ترکیب سهبعدی در گیت منطقی بهره میبرد. این راهکار، عملکرد تراشهها را بهبود یدهد و میزان توان مصرفی را در مقایسه با ترانزیستورهای دوبعدی سنتی که تا پیش از سال 2011 استفاده میشدند، کاهش میدهد.
نکته مثبت این قضیه آن است که اینتل قصد دارد از این توانایی در تولید تراشههای جدید استفاده کند و طراحی تراشه توسط شرکتهای دیگر را نیز دگرگون سازد. به بیان دیگر، اینتل در اینجا نقش مولدی را بر عهده دارد که طراحی و فروش تراشه به دیگر شرکتها را نیز عهدهدار خواهد شد.